摘要:X射线分析 正文 利用 X射线与物质间的交互作用来分析物质的结构、组织和成分的一种材料物理试验。 X射线是德国人W.C.伦琴于 1895年发现的。它是一种肉眼不可见的射线，但能使感光材料感光和荧光物质发光；具有较强的穿透物质的本领；能使气体电离；与可见光一样，它是沿直线传播的，在电磁场中不发生偏转。由于当时对其本质不甚了解,因此称之为X射线。后人为了纪念其发现者，也称为伦琴射线。 1912年，德国人M.von劳厄等通过实验证实，X射线与晶体相遇时能发生衍射现象，证明了它是一种[阅读全文:]
摘要:基本简介 X射线是一种波长很短的电磁辐射，其波长约为（20～0.06）×10-8厘米之间。伦琴射线具有很高的穿透本领，能透过许多对可见光不透明的物质，如墨纸、木料等。这种肉眼看不见的射线可以使很多固体材料发生可见的荧光，使照相底片感光以及空气电离等效应，波长越短的X射线能量越大，叫做硬X射线，波长长的X射线能量较低，称为软X射线。当在真空中，高速运动的电子轰击金属靶时，靶就放出X射线，这就是X射线管的结构原理。放出的X射线分为两类：（1）如果被靶阻挡的电子的能量，不越过一定限度时，只发射连续光[阅读全文:]
摘要:简介 x光机 X光的产生方式有两种：制动辐射（Bremsstrahlung）和特性辐射（Characteristic）。制动辐射：高速电子突然减速后，其动能以X光的形式释放出来；特性辐射： 高速电子撞击原子和外围轨道上电子，使之游离且释放出能量，这种能量即X光。 X关机广泛应用于医疗卫生，科学教育，工业各个领域,例如X光机可用于医院协助医生诊断疾病，用于工业的无损探伤，火车站和机场的安全检查等等。 基本原理 X-ray 是由德国仑琴教授在1895年所发现。这种由真空管发出能穿透物体的[阅读全文:]
摘要:设备图XRD即X-ray diffraction ，X射线衍射，通过对材料进行X射线衍射，分析其衍射图谱，分析材料的成分等。 应用范围 XRD可以做定性，定量分析。即可以分析合金里面的相成分和含量,可以测定晶格参数,可以测定结构方向、含量，可以测定材料的内应力，材料晶体的大小等等。一般主要是用来分析合金里面的相成分和含量。 工作原理 X射线是原子内层电子在高速运动电子的轰击下跃迁而产生的光辐射，主要有连续X射线和特征X射线两种。晶体可被用作X光的光栅，这些很大数目的原子或离子/分子[阅读全文:]
摘要:X 射线X射线 诺贝尔奖是以瑞典化学家诺贝尔的遗产设立的奖项。诺贝尔一生富于传奇色彩，这位“爆炸大王”为了研制安全炸药经历了无数次冒险，一生与死神相伴，后来又因其发明而财源滚滚；但他生前却生活俭朴，为实验和推广他的成果奔忙于欧洲各地，被称为“欧洲最富有的流浪汉”。可是令诺贝尔感到难过的是，他的发明却被战争狂们用于屠杀人类同胞的工具。为此他在临终前制定了遗嘱，将其遗产中的920万美元作为基金，以其利息分设物理学、化学、生理学或医学、文学和和平五种奖金（1968年又增设经济学奖），奖励给为[阅读全文:]
摘要:系统别名 UBV 系统也称为约翰逊系统． 系统简介 这是在恒星的 光度测量上才会使用到的分类。依据恒星在紫外线(U)、蓝色(B)与目视(V)三种不同波长上的光度，对恒星进行UBV的光度测量来分类。这种分类法是美国天文学家哈洛德·约翰逊 (Harold Lester Johnson)和威廉·威尔逊·摩根( William Wilson Morgan)在1950年代提出的，当初选择在可见光范围最末端的蓝色光是因为这是天文摄影也能观察到的颜色。在实际的运用上，天文学家会比较U、B、V三种颜色之间的光度[阅读全文:]
摘要:s过程 正文 慢中子俘获过程，是 B2FH理论(见元素合成理论)中提出的一种过程。s是 slow（慢）的缩写。比铁峰元素（钒、铬、锰、铁、钴、镍等）更重的元素的丰度，不能用核统计平衡过程来说明，因为它们的丰度远大于核统计平衡所确定的数值。用带电粒子间的反应来解释重元素的生成也有困难，因为这种反应需要克服库仑势垒，而库仑势垒随着核电荷的增加而增高，在低温条件下重核之间进行反应的概率小到可以忽略，而在高温条件下核反应又趋于统计平衡。但是，俘获中子的反应却不受限制，它无须克服库仑势垒，所以[阅读全文:]
摘要:r过程 正文 中子的快俘获过程，是B2FH理论(见元素合成理论)中提出的一种过程。r是rapid(快)的缩写。一般认为,在超新星爆发时会出现很强的中子流。在这种情况下，某些原子核俘获中子的概率高于β衰变概率，生成的核还没有来得及β衰变就又俘获了新的中子，这就形成原子核对中子的快速连续俘获，直到没有更多的中子为原子核所俘时为止。这样生成的原子核往往是不稳定的,它们又可以通过连续的β衰变而形成各种富中子同位素。比铋(Bi)重的所有元素和比铁(Fe)重的富中子同位素，都可以由r过程产生。r[阅读全文:]
摘要:PN结 正文 在一块单晶半导体中，一部分掺有受主杂质是 P型半导体，另一部分掺有施主杂质是N型半导体时，P型半导体和 N型半导体的交界面附近的过渡区称为PN结。PN结有同质结和异质结两种。用同一种半导体材料制成的PN结叫同质结，由禁带宽度不同的两种半导体材料（如GaAl/GaAs、InGaAsP/InP等）制成的PN结叫异质结。制造PN结的方法有合金法、扩散法、离子注入法和外延生长法等。制造异质结通常采用外延生长法。 基本特性 在 P型半导体中有许多带正电荷的空穴和带[阅读全文:]
摘要:名称 PentiumM处理器 相关资料 Intel的NetBurst并不是一个成功的架构，尽管Intel在设计Pentium 4之初，目标是10GHz核心频率。但事实证明目标难以完成。工程师难以在提升频率的同时，将发热量控制到一个合理的范围。因此，Intel宣称NetBurst产品频率不提升到4GHz以上。毕竟谁都不想坐在一个“火炉”旁边，谁都不想听到嗡嗡作响的风扇声音。 Intel为桌面处理器找到了一条新的开发方法，不提升时钟频率，而是集成多个计算核心。但先天的缺陷难以回避，如果[阅读全文:]